國立宜蘭大學教師個人基本資料表

 

 

 

 

 

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鄭岫盈

 

E-mailsycheng@niu.edu.tw

 

 

最高學歷/起迄:國立成功大學電機博士(1996-1999)

Shiou-Ying Cheng

 

現職/起迄:國立宜蘭大學電子工程學系教授 (2007.8~)

描述: sycheng

 

到任年月份:2004.2~

 

研究領域:高速元件、光電元件、感测元件

 

 

描述: img_01     

 

研究

 

近五年研究成果(20052009(僅列第一作者、第二作者、通信作者)

一、期刊論文:

(若期刊屬於SCIEISSCITSSCIEconLitA&HCI等時,請註明)

 

1(77) Shiou-Ying Cheng*, Chun-Yuan Chen, Ssu-I Fu, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, and Wen-Chau Liu, “DC characterization of an InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT),” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 2, pp. 824-827, 2005. EI, SCI, Impact Factor = 1.247@2007Rank factor: PHYSICS, APPLIED  : 50/94】【Cited: 1

2(78) Shiou-Ying Cheng*, Chun-Yuan Chen, Jing-Yuh Chen, Wen-Chau Liu, Wen-Lung Chang, and Meng-Hsueh Chiang,Comprehensive studies of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors with different thickness of setback layers,Superlattice and Microstructures, vol. 37, pp. 171-183, 2005. EI, SCI, Impact Factor = 1.344@2007Rank factor: PHYSICS, CONDENSED MATTER  : 29/61】【Cited: 1

3(81) Shiou-Ying Cheng*, Ssu-I Fu, Kuei-Yi Chu, Po-Hsien Lai, Li-Yang Chen, Wen-Chau Liu, and Meng-Hsueh Chiang, Improved DC and microwave performance of heterojunction bipolar transistors by full sulfur passivation, J. Vac. Sci. & Technol., vol. B24, no. 2, pp. 669-674, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 1.419@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 52/227】【Cited: 7

4(83) Ssu-I Fu, Shiou-Ying Cheng*, and Wen-Chau Liu, “Characteristics of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with sulfur treatments,” Superlattices & Microstructures, vol. 39, pp. 436-445, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 1.344@2007Rank factor: PHYSICS, CONDENSED MATTER : 29/61】【Cited: 8

5(85) Shiou-Ying Cheng*, Kuei-Yi Chu, and Li-Yang Chen, An novel InGaP/ AlXGa1-XAs /GaAs CEHBT, IEEE Electron Device Lett., vol. 27, pp.532-534, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 2.486@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 9/227】【Cited: 3

6(86) Ssu-I Fu, Shiou-Ying Cheng, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, Ching-Wen Hung, Chih-Hung Yen, and Wen-Chau Liu, “A Study of a composite-passivation of an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor, J. Electrochem. Soc., vol. 153, pp. G938-G942, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 2.483@2007Rank factor: MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS : 1/18】【Cited: 2

7(87) Shiou-Ying Cheng* Very wide current-regime operation of an InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT), Microelectronics Reliability, vol. 47, pp.1208-1212, 2007. EI, SCI, Impact Factor = 1.011@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 83/227

8(88) Shiou-Ying Cheng*, Ssu-I Fu, Tzu-Pin Chen, Po-Hsien Lai, Rong-Chau Liu, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, and Wen-Chau Liu,The effect of sulfur treatment on the Temperature-Dependent Performance of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors, IEEE Trans. on Device and Materials Reliability, vol. 6, pp. 500-508, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 1.610@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 47/227】【Cited: 2

9(89) Ssu-I Fu, Shiou-Ying Cheng*, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, Ching-Wen Hung, Chih-Hung Yen, and Wen-Chau Liu, “Comprehensive study of emitter ledge thickness of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs),” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, pp. 2689-2695, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 2.165@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 20/227】【Cited: 4

10(90)      Ssu-I Fu, Shiou-Ying Cheng*, Tzu-Pin Chen, Po-Hsien Lai, Ching-Wen Hung, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, and Wen-Chau Liu, “Further suppression of surface recombination of an InGaP/GaAs HBT by conformal passivation,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, pp. 2901-2907, 2006. EI, SCI, Impact Factor = 2.165@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 20/227】【Cited: 4

11(94)      Ching-Wen Hung, Shiou-Ying Cheng, Kun-Wei Lin, Yan-Ying Tsai, Po-Hsien Lai, Ssu-I Fu, and Wen-Chau Liu, “Hydrogen detection by a GaAs-based transistor with a palladium (Pd) thin film gate structure,Advanced Materials Research, vol. 15-17, pp. 275-280, 2007.

12(95)      Shiou-Ying Cheng*, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, Lu-Ann Chen, and Chun-You Chen, “Two-dimensional analysis for emitter ledge thickness of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors,” Appl. Phys. Lett., vol. 90, no. 4, pp. 0435101-0435103, 2007. EI, SCI, Impact Factor = 3.596@2007Rank factor: PHYSICS, APPLIED : 8/94

13(96)      Ssu-I Fu, Shiou-Ying Cheng, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, Ching-Wen Hung, and Wen-Chau Liu, “On the emitter ledge length effect for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 3, pp. L74-L76, 2007. EI, SCI, Impact Factor = 1.247@2007Rank factor: PHYSICS, APPLIED  : 50/94

14(97)      Ssu-I Fu, Rong-Chau Liu, Shiou-Ying Cheng*, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, Ching-Wen Hung, Tzu-Pin Chen, and Wen-Chau Liu, “Comprehensive Investigation on Emitter Ledge Length of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors, J. Vac. Sci. & Technol. B, vol. 25, no. 3, pp. 691-696, 2007. EI, SCI, Impact Factor = 1.419@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 52/227】【Cited: 2

15(98)      Shiou-Ying Cheng*, Ssu-I Fu, and Wen-Chau Liu, Improved Performance of a Dual-Passivated Heterojunction Bipolar Transistor, J. Vac. Sci. & Technol. B, vol. 25, no. 3, pp. 734-738, 2007. EI, SCI, Impact Factor = 1.419@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 52/227】【Cited: 1

16(99)      Shiou-Ying Cheng*, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, Lu-An Chen, and Chun-You Chen, “Temperature-Dependent DC Characteristics of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with Different Passivation,” J. Electrochem. Soc., vol. 154, pp. H730-H733, 2007. EI, SCI, Impact Factor = 2.483@2007Rank factor: MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS : 1/18

17(101)    Shiou-Ying Cheng*, Ssu-I Fu, Kuei-Yi Chu, Tzu-Pin Chen, Wen-Chau Liu, and Li-Yang Chen Improved performances of a two-step passivated heterojunction bipolar transistor, Microelectronics Reliability, vol. 48, pp. 200-203, 2008.EI, SCI, Impact Factor = 1.011@2007】【Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 83/227

18(102)    Tzu-Pin Chen, Shiou-Ying Cheng*, Ching-Wen Hung, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, Tsung-Han Tsai, and Wen-Chau Liu, “A new InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) with a step-graded InAlGaAs collector structure,” IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 1, pp. 11-14, 2008.EI, SCI, Impact Factor = 2.486@2007】【Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 9/227

19(103)    Tzu-Pin Chen, Shiou-Ying Cheng, Wei-Hsin Chen, Ching-Wen Hung, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, Tsung-Han Tsai, and Wen-Chau Liu,Characteristics of an InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) with an InAlGaAs/InP composite collector structure,” J. Electrochem. Soc., vol. 155, pp. H136-H139, 2008. EI, SCI, Impact Factor = 2.483@2007Rank factor: MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS : 1/18

20(104)    Kuei-Yi Chu, Shiou-Ying Cheng*, Tzu-Pin Chen, Ching-Wen Hung, Li-Yang Chen, Tsung-Han Tsai, Wen-Chau Liu, and Lu-An ChenInfluence of emitter ledge thickness on the surface recombination mechanism of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor,” Superlattices & Microstructures, vol.43 , pp.368-374 , 2008.EI, SCI, Impact Factor = 1.344@2007Rank factor: PHYSICS, CONDENSED MATTER : 29/61

21(105)    Li-Yang Chen, Shiou-Ying Cheng*, Kuei-Yi Chu, Tsung-Han Tsai, Tzu-Pin Chen, Ching-Wen Hung, and Wen-Chau Liu,” Effect of Non-Annealed Ohmic-Recess Structure on Temperature-Dependent Characteristics of Metamorphic High Electron Mobility Transistors (MHEMTs)” J. Electrochem. Soc., vol.155, no.6, pp.H443-H447, 2008. SCI, Impact Factor = 2.483@2007Rank factor: MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS : 1/18

22(106)    Li-Yang Chen, Shiou-Ying Cheng, Kuei-Yi Chu, Tsung-Han Tsai, Tzu-Pin Chen, Ching-Wen Hung, and Wen-Chau Liu, “Improved Performance of a Non-Annealed Ohmic-Recess Metamorphic High Electron Mobility Transistor,” IEE Electron. Lett., vol.44, no.12, pp. 771 - 773, 2008.EI, SCI, Impact Factor = 1.009@2007】【Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 86/227

23(108)    Shiou-Ying Cheng*, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, Lu-An Chen, and Wen-Chau Liu, Characteristics of an InGaP/AlxGa1-xAs/GaAs composite-emitter heterojunction bipolar transistor (CEHBT),” J. Vac. Sci. & Technol. B, vol. 26, no. 2, pp. 627-631, 2008. EI, SCI, Impact Factor = 1.419@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 52/227

24(109)    Li-Yang Chen, Shiou-Ying Cheng, Tzu-Pin Chen, Kuei-Yi Chu, Tsung-Han Tsai, Yi-Chun Liu, Xin-Da Liao, and Wen-Chau Liu, “On an InGaP/InGaAs Double Channel Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor with Graded Triple δ-Doped Sheets,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 55, no. 11, pp. 3310-3313, 2008. Impact Factor = 2.165@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 20/227

25(110)    Li-Yang Chen, Shiou-Ying Cheng*, Tzu-Pin Chen, Tsung-Han Tsai, Yi-Chun Liu, Xin-Da Liao, and Wen-Chau Liu,”Temperature-Dependent Characteristics of a Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor with Graded Triple Delta-Doped Sheets” J. Electrochem. Soc., vol. 155, no. 12, pp. H995-H999, 2008. Impact Factor = 2.483@2007Rank factor: MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS : 1/18

26(111)    Li-Yang Chen, Shiou-Ying Cheng*, Wen-Shiung Lour, Jung-Hui Tsai, Der-Feng Guo, Tsung-Han Tsai, Tzu-Pin Chen, Yi-Chun Liu, and Wen-Chau Liu,”effect of Non-Annealed Ohmic-Recess Approach on Temperature-Dependent Properties of a Metamorphic High Electron Mobility Transistor” Semicond. Sci. Technol., vol. 23, no. 12, pp. 125041, 2008. Impact Factor = 1.899@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 31/227

27(113) Li-Yang Chen, Huey-Ing Chen, Shiou-Ying Cheng*, Tzu-Pin Chen, Tsung-Han Tsai, Yi-Jung Liu, Yi-Wen Huang, Chien-Chang Huang, and Wen-Chau Liu, “On the pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMTs) with a low-temperature gate approach,” IEEE Electron Device Lett., vol. 30, pp. 325-327, 2009. EI, SCI, Impact Factor = 2.486@2007Rank factor: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC : 9/227

28(114) Li-Yang Chen, Huey-Ing Chen, Shiou-Ying Cheng*, Tzu-Pin Chen, Tsung-Han Tsai, Yi-Jung Liu, Yi-Wen Huang, Chien-Chang Huang, and Wen-Chau Liu, Temperature-Dependent Characteristics of a Low-Temperature Deposition Approach on a Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor Electrochem. Solid State Lett., vol. 12, pp. H211-H213, 2009. EI, SCI, Impact Factor = 2.109@2007Rank factor: MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY : 32/190

29(115) Li-Yang Chen, Huey-Ing Chen,Chien-Chang Huang, Yi-Wen Huang, Tsung-Han Tsai, Yi-Chun Liu, Tai-You Chen, Shiou-Ying Cheng*, and Wen-Chau Liu, “Characteristics of an electroless plated-gate transistor,” Appl. Phys. Lett., vol. 95, pp. 052105, 2009.

 

 

 

二、研討會論文:

 

[1]     Shiou-Ying Cheng, “Simulation of an InGaP/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (HEBT) with a Wide Bandgap Collector,” EDMS’01, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C., pp. 576- 579, 2001

[2]     Shiou-Ying Cheng, “Impulse-Like Negative-Differential-Resistance of Superlatticed Resonant-Tunneling Transistor,” EDMS’01, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C., pp. 489-491, 2001.

[3]     Shiou-Ying Cheng, “Simulation of an InGaP/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (HEBT) with a Wide Bandgap Collector,” Proc. the Ninth Military Symposium on Fundamental Science, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C., pp. CI 24-29, 2002.

[4]     Shiou-Ying Cheng, “An InGaP/AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor with zero conduction-band discontinuity,” ICSNN’2002. Toulouse, France, P-136, 2002.

[5]     Shiou-Ying Cheng, “An InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor with the optimized setback-layer thickness,” ICPS, D. P. 235 Edinburgh, UK, 2002.

[6]     Shiou-Ying Cheng, “Simulation study of the DC and AC characteristics of an improved InGaP/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistor (HEBT) with an InGaP wide bandgap collector”, Command Abstr. Int. Conf. Optoelectronic and Microelectronic and Devices COMMAD’02, abstract141, Sydney, Australia, 2002.

[7]     Shiou-Ying Cheng, 2002 “Performance of an InGaP/AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) with a fully continuous conduction band,” EDMS’02, Taipei, Taiwan, R.O.C., B-025, p- 726-728, 2002.

[8]     Chun-Yuan Chen, Wen-Hui Chiou, Hung-Ming Chuang, Kuan-Ming Lee, Xin-Da Liao, Chun-Tsen Lu, Sheng-Fu Tsai, Ssu-I Fu, Chung-I Kao, Shiou-Ying Cheng, and Wen-Chau Liu, “InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) with an Emitter Tunneling Barrier and Composite Collector Structure,” IEDMS’02, Taipei, Taiwan, R.O.C., pp. 53-56, 2002.

[9]     Chun-Yuan Chen, Shiou-Ying Cheng, Ssu-I Fu, Ching Hsiu Tsai, Chi-Yuan Chang, Ching-Wen Hung, Chun-Wei Chen, and Wen-Chau Liu, “A Novel InP/InGaAs Tunneling Emitter Bipolar Transistor (TEBT) for Ultra-Low Current Operations,” EDMS’03, Keelung, Taiwan, R.O.C., pp. 629-634, 2003.

[10] Chun-Yuan Chen, Shiou-Ying Cheng, Hung-Ming Chuang, Jing-Yuh Chen, Ssu-I Fu, Ching-Hsiu Tsai, Ching-Wen Hong, Chun-Wei Chen, and Wen-Chau Liu, “DC Characterization of an InP/InGaAs Tunneling Emitter Bipolar Transistor (TEBT),” Proc. in SPIE's Int. Symp. Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, Perth, Australia, No. 5274-55, 2003.

[11] Chin-Chuan Cheng, Shiou-Ying Cheng, Hung-Ming Chuang, Chun-Yuan Chen, Po-Hsien Lai, Chung-I Kao, Ching-Wen Hong, Chun-Wei Chen, and Wen-Chau Liu, “InGaP/InGaAs Quantum-Well Delta-Doped-Channel Field-Effect Transistor,” Proc. in SPIE's Int. Symp. Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, Perth, Australia, No. 5274-53, 2003.

[12] Shiou-Ying Cheng, Chun-Yuan Chen, Jing-Yuh Chen, Hung-Ming Chuang, Wen-Chau Liu, Wen-Lung Chang, Hsi-Jen Pan, and Pao-Chuan Chen “Comprehensive Analysis of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with Different Thickness of Setback Layers,” Proc. in SPIE's Int. Symp. Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, Perth, Australia, No. 5276-50, pp.384-391, 2003.

[13] Hung-Ming Chuang, Chii-Maw Uang, Shiou-Ying Cheng, Chun-Yuan Chen, Po-Hsien Lai, Chung-I Kao, Yan-Ying Tsai, Wei-Hsi Hsu, and Wen-Chau Liu, “InGaP/InGaAs Dual-Channel Transistor,” The Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2004), pp. 186-189, 2004.

[14] Chun-Yuan Chen, Chii-Maw Uang, Shiou-Ying Cheng, Hung-Ming Chuang, Ssu-I Fu, Ching-Hsiu Tsai, Chi-Yuan Chang, and Wen-Chau Liu, “Characteristics of an InP/InGaAs Tunneling Emitter Bipolar Transistor (TEBT)”, The Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2004), pp. 220-223, 2004.

[15] Shiou-Ying Cheng, Chun-Yuan Chen, Jing-Yuh Chen, Hung-Ming Chuang, Wen-Chau Liu, and Wen-Lung Chang, “Numerical and Experimental Analysis of an InP/InGaAs Tunneling Emitter Bipolar Transistor (TEBT) for Low-Voltage and Low-Power Circuit Applications,” IVESC2004, Beijing, China, No. P-50, pp.287-288, 2004.

[16] Shiou-Ying Cheng, Chun-Yuan Chen, Ssu-Yi Fu, Po-Hsien Lai, Jing-Yuh Chen, and Wen-Chau Liu, “Influence of AlXGa1-XAs Graded Layer on the Performance of InGaP/ AlXGa1-XAs/GaAs Composite-Emitter Heterojunction Bipolar Transistors (CEHBTs),” IEDMS’04, Hsinchu, no. 45,pp. 3-4, 2004.

[17] Shiou-Ying Cheng, Chun-Yuan Chen, Ssu-Yi Fu, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, and Wen-Chau Liu, “An InGaP/AlxGa1-xAs/GaAs Composite-Emitter Heterojunction Bipolar Transistors (CEHBTs),” 第十二屆三軍官校基礎學術研討會, 高雄, pp. C-7-C-8, 2005.

[18] Chun-Yuan Chen, Ssu-Yi Fu, Yan-Ying Tsai, Po-Hsien Lai, Shiou-Ying Cheng, and Wen-Chau Liu, “Characteristics of Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) with Sulfur passivation,” 第十二屆三軍官校基礎學術研討會, 高雄, pp. C-10, 2005.

[19] Wen-Chau Liu, Ssu-Yi Fu, Shiou-Ying Cheng, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, and Jing-Yuh Chen, “An InGaAs/InGaAsP Composite-Collector Heterojunction Bipolar Transistor (CCHBT),” EDMS’05, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C., BO13, 2005.

[20] Shiou-Ying Cheng, Ssu-Yi Fu, Yan-Ying Tsai, Po-Hsien Lai, Wen-Chau Liu, Kuei-Yi Chu, and Li-Yang Chen, “An InGaP/AlXGa1-XAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with different doping concentrations of AlXGa1-XAs graded layers,” EDMS’05, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C., BP13, 2005.\

[21] T. P. Chen, S. I Fu, S. Y. Cheng, K. Y. Chu, L. Y. Chen, L. A. Chen, and W. C. Liu, “An InGaP/AlXGa1-XAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with different thickness of AlXGa1-XAs graded layers,” IEDMS’2006, Tainan, PA016. , 2006.

[22] Shiou-Ying Cheng, Kuei-Yi Chu, Li-Yang Chen, Lu-An Chen, “Modeling Emitter Ledge Thickness Variations for Insight Into InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor Performance,” IEDMS’2006, Tainan, PA038. , 2006.

 

 

 

三、其他著作或專利:

 

[1]     專書:

1.        羅文雄、蔡榮輝、鄭岫盈等譯,半導體製程技術,出版社:滄海編號:EE0209C2003.

 

[2]     專利

1.        中華民國發明第105051號,長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁超晶格共振穿透式電晶體,劉文超、鄭岫盈

2.        中華民國發明第113379號,鈀薄膜/半導體肖基二極體式氫氣感測器,劉文超、陳慧英、鄭岫盈

3.        中華民國發明第112406號,一種超晶格式負微分電阻功能型電晶體,劉文超、鄭岫盈

4.        中華民國發明第112321號,一種寬廣工作點電壓操作範圍之雙異質接面雙極性電晶體,劉文超、鄭岫盈

5.        中華民國發明第135646號,一種共振穿透異質結構雙極性電晶體,劉文超、蔡榮輝、鄭岫盈

6.        中華民國發明第134829號,具有遮陽帽形負微分電阻特性之異質接面雙極性電晶體元件,劉文超、王偉州鄭岫盈

7.        中華民國發明第128869號,一種具有連續性導電帶結構之異質接面雙極性電晶體,劉文超、潘繫仁、鄭岫盈

8.        中華民國發明第142484號,光控特性之多重負微分電阻交換元件,劉文超、陳敬育、鄭岫盈王偉州

9.        中華民國發明第538481號,具零導電帶不連續值之磷化鎵銦/砷化鎵鋁/砷化鎵異質接面雙極性電晶體,劉文超、鄭岫盈

10.    中華民國發明第588458號,異質結構場效電晶體,劉文超, 鄭岫盈, 莊弘銘, 廖信達

11.    美國US 6,031,256Wide Voltage Operation Regime Double Heterojunction Bipolar Transistor,劉文超、鄭岫盈

12.    美國US6,160,278.Hydrogen-sensitive palladium (Pd) membrane/ semiconductor Schottky diode sensor,劉文超、陳慧英、鄭岫盈

13.    美國US 6,118,136.Superlattice negative-differential-resistance functional transistor,劉文超、鄭岫盈

14.    美國US6459103Negative-Differential-Resistance Heterojunction Bipolar Transistor with Topee-Shaped Current-Voltage,劉文超、王偉州鄭岫盈

15.    美國us6791126Heterojunction bipolar transistor with zero conduction band discontinuity,劉文超, 鄭岫盈

16.    美國US 5,828,077Long-Period Superlattice Resonant Tunneling Transisto,劉文超、鄭岫盈

17.    中華民國新型第147429號,高功率磷化銦鎵/砷化鎵振盪穿透式異質結構電晶體之組成與製法,劉文超、蔡榮輝、鄭岫盈

 

 

 

四、六年內之研究計畫2003.82010.7

起迄年月

研究計畫名稱

主持人/共同主持人

計畫經費

補助單位

988月∼

997

具砷化銦鋁鎵集層結構之磷化銦/砷化銦異質接面雙極性電晶體 (NSC-98-2221-E-197-030)

主持人

NT$1,063,000

國科會

978月∼

987

具非退火式的歐姆接觸之改良型砷化銦鋁 /砷化銦鎵變晶性高電子移動率電晶體 (NSC-97-2221-E-197-027)

主持人

NT$985000

國科會

968月∼

977

歐姆掘入結構之改良式變晶性異質結構場效電晶體元件(I)

(NSC-96-2221-E-197-022)

主持人

NT$1,236,000

國科會

958月∼

967

具雙重通道之改良型磷化銦鎵/砷化銦鎵/砷化鎵異質結構高電子移動率電晶體

(NSC-95-2221-E-197-022)

主持人

NT$998,000

國科會

948月∼

957

改良型之化合物半導體異質接面雙極性電晶體之研製(NSC-94-2215-E197-002)

主持人

NT$1,284,00

國科會

938月∼

947

新穎穿透射極式結構雙極性電晶體 (NSC-93-2215-E197-004)

主持人

NT$822,000

國科會

 

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教學

 

五、六年內開授課程:

 

學年度

課程名稱(/)

選修人數

 

99

普通物理(修,上學期,進修部大)

55

 

99

化合物半導體元件(選修,上學期,碩士班)

15

 

98

半導體工程(選修,上學期,大四甲)

59

 

98

半導體工程(選修,上學期,進修部大)

31

 

98

電子學 (修,上學期,大學電資二)

28

 

98

積體電路製程整合(選修,下學期,大四甲)

53

 

98

積體電路製程整合(選修,下學期,進修部大)

41

 

98

電子學 (修,下學期,大學電資二)

26

 

97

普通物理(修,上學期,進修部大)

52

 

97

半導體工程(選修,上學期,大四乙)

47

 

97

普通物理二(修,下學期,進修部大)

42

 

97

積體電路製程整合(選修,下學期,進修部)

16

 

97

積體電路製程整合(選修,下學期,大四甲)

48

 

96

高速元件(選修,上學期,碩士班)

9

 

96

普通物理(修,上學期,大電基)

50

 

96

化合物半導體元件(選修,下學期,碩士班)

5

 

95

基礎電學(必修,上學期,大)

55

 

95

半導體工程(選修,上學期,大四甲)

34

 

95

半導體工程(選修,上學期,進修部大)

48

 

95

微波元件(選修,下學期,碩士班)

8

 

95

積體電路製程整合(選修,下學期,進修部)

52

 

94

基礎電學(必修,上學期,大)

44

 

94

半導體工程(選修,上學期,進修部大)

58

 

94

高速元件(選修,上學期,碩士班)

7

 

94

專題討論(必修,上學期,碩)

19

 

94

邏輯設計實習(必修,下學期,大)

51

 

94

邏輯設計實習(必修,下學期,大)

42

 

94

積體電路製程整合(選修,下學期,進修部)

63

 

94

微波元件(選修,下學期)

12

 

94

專題討論(選修,下學期,碩)

19

 

93

基礎電學(必修,上學期,大)

46

 

93

半導體工程(選修,上學期,大四)

60

 

93

高速元件(選修,上學期,碩士班)

9

 

93

積體電路製程整合(選修,上學期,進修部大)

42

 

93

專題討論(必修,上學期,碩)

13

 

93

邏輯設計實習(必修,下學期,大)

47

 

93

邏輯設計實習(必修,下學期,大)

50

 

93

積體電路製程整合(選修,下學期,大四)

47

 

93

專題討論(選修,下學期,碩)

13

 

92

半導體工程(選修,下學期,進修部大)

43

 

92

邏輯設計實習(必修,下學期,大)

44

 

92

邏輯設計實習(必修,下學期,大)

52

 

六、三年內指導研究生狀況:

 

學年度

碩士班()

博士班()

畢業人數

 

碩士

博士

 

99

2

1(成大共同指導)

 

1(成大共同指導)

 

98

1

2(成大共同指導)

1

1(成大共同指導)

 

97

 

2(成大共同指導)

0.5

2(成大共同指導)

 

96

0.5 (共同指導)

1(成大共同指導)

1

1(成大共同指導)

 

95

1

2(成大共同指導)

2

1(成大共同指導)

 

94

2

1(成大共同指導)

 

 

 

93

 

 

 

 

 

92

 

 

1(海大共同指導)

 

 

91

1(海大共同指導)

 

 

 

 

 

描述: img_01     

 

服務

 

 

七、三年內校內校、院、系(所、科及中心)各級公共事務參與:

 

年月

//系級

項目

 

93

校級

圖書委員

 

93

系級

招生事務/甄選會委員

 

93

系級

課程會委員

 

94

校級

圖書委員

 

94

系級

學生事務會委員

 

95

校級

環境保護暨職業安全衛生委員會委員 (9611~9811)

 

95

校級

校務委員代表

 

95

院級

電資學院秘書

 

95

院級

教評會委員

 

95

院級

評鑑委員會委員

 

95

院級

課程委員

 

95

院級

不分班評估小組委員

 

95

系級

教評會委員

 

95

系級

學生事務會委員

 

95

系級

招生事務/甄選會委員

 

96

校級

環境保護暨職業安全衛生委員會委員(9611~9811)

 

96

校級

教職員宿舍調配委員 (96101~98930)

 

96

校級

97年度進用專案計畫工作人員勞務採購第二階段面試委員(9711~971231)

 

96

校級

總務委員

 

96

院級

電資學院秘書

 

96

院級

教評會委員規劃小組委員

 

96

院級

電資學院學士班課程

 

96

系級

課程委員

 

96

系級

教評會委員

 

97

校級

環境保護暨職業安全衛生委員會委員 (9611~9811)

 

97

校級

教職員宿舍調配委員(96101~98930)

 

97

校級

97年度進用專案計畫工作人員勞務採購第二階段面試委員(9711~971231)

 

97

校級

宜蘭大學執行【教育部區域產學連結計畫】評估及考核工作小組委員 (9811~981231)

 

97

校級

保護智慧財產權宣導及執行小組委員

 

97

院級

電資學院秘書(97 第一學期)

 

97

院級

教評會委員

 

97

系級

教評會委員

 

97

系級

課程委員

 

97

系級

電子工程學系友會籌備委員

 

98

校級

校務委員代表

 

98

校級

研究發展會議代表

 

98

校級

環境保護暨職業安全衛生委員會委員 (9611~9811)

 

98

校級

教職員宿舍調配委員(96101~98930)

 

98

校級

轉學招生考試命題暨閱卷委員

 

98

校級

宜蘭大學執行【教育部區域產學連結計畫】評估及考核工作小組委員 (9811~981231)

 

98

院級

委員代表

 

98

院級

教評會委員

 

98

系級

教評會委員

 

98

系級

發展規劃委員會

 

99

校級

考績委員會委員

 

99

校級

秘書室公共事務組組長

 

99

校級

工讀助學金管理委員會委員

 

99

校級

校區交通管理委員會委員  (10011~1001231)

 

99

院級

教評會委員

 

99

系級

教評會委員

 

99

系級

招生事務委員

 

99

系級

建教衛安管理委員

 

 

 

八、三年內專業學術服務工作項目:

 

年月

校內/校外

項目

 

92.1~92.12

校外

智慧財產局: 兼任審查委員

 

92.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員 1人次

 

92.6

校外

國立成功大學 碩士論文口試委員1人次

 

92.12

校外

2003 EDMS, Session Chairman

 

93.1~93.12

校外

智慧財產局: 兼任審查委員

 

93.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員 3人次

 

93.6

校外

國立成功大學 碩士論文口試委員1人次

 

94.1~94.12

校外

智慧財產局: 兼任審查委員

 

94.2

校外

計畫審查:國科會專題計畫審查 4人次

 

94.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員1人次

 

94.6

校外

國立成功大學 碩士論文口試委員1人次

 

94.6

校外

國立成功大學 博士論文口試委員3人次

 

94.6

校外

龍華科技大學 碩士論文口試委員2人次

 

94.7

校內

期刊論文審查:國立宜蘭大學工程學刊, 2人次

 

94.8

校外

期刊論文審查:Sensor and actor B: Review Paper (Impact Factor: 2.331), 1人次

 

95.1~95.12

校外

智慧財產局: 兼任審查委員

 

95.1~12

校外

期刊論文審查:Journal of The Electrochemical Society (Impact Factor: 2.387), 5人次

 

95.2

校外

計畫審查:國科會專題計畫審查 5人次

 

95.6

校外

國立高雄師範大學 碩士論文口試委員1人次

 

95.6

校內

國立宜蘭大學 碩士論文口試委員2人次

 

95.8

校外

會議論文審查: IEDM Review Paper 7人次

 

95.9

校外

計畫審查:國科會專題計畫申覆審查 1人次

 

95.10

校外

擔任『奈米生技暨科技人才培訓班』授課講師,主辦單位:教育部北區奈米科技前瞻人才培育中心、台灣大學奈米機電系統研究中心、台灣海洋大學電機系。

 

95.10

校外

2006 IEDM, Paper Review Committee

 

96.1~12

校外

期刊論文審查:Journal of The Electrochemical Society (Impact Factor: 2.387), 2人次

 

96.1~12

校外

期刊論文審查JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (Impact Factor: 2.316), 1人次

 

96.1~12

校外

期刊論文審查: Superlattices and Microstructures (Impact Factor: 1.259), 1人次

 

96.1~12

校外

期刊論文審查Sensors & Actuators: B. Chemical (Impact Factor: 2.331), 1人次

 

96.6

校外

國立成功大學 士論文口試委員2人次

 

96.6

校外

國立高雄師範大學 碩士論文口試委員1人次

 

96.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員1人次

 

96.6

校內

國立宜蘭大學 碩士論文口試委員3人次

 

96.7

校內

主辦JJLIOU教授(UCF, USA) 來本校進行短期問及教學

 

96.10

校外

擔任『奈米生技暨科技人才培訓班』授課講師,主辦單位:教育部北區奈米科技前瞻人才培育中心、台灣大學奈米機電系統研究中心、台灣海洋大學電機系。

 

96.11

校外

Session Chairman, 2007 Green Energy, Ching Yun University

 

96.12

校外

國立台灣海洋大學工程論文評審委員

 

96.12

校外

Connect Taiwan 聯誼會蘭陽分會秘書組組長

 

97.1~12

校外

期刊論文審查:Journal of The Electrochemical Society (Impact Factor: 2.387), 2人次

 

97.1~12

校外

期刊論文審查: Sensors & Actuators: B. Chemical (Impact Factor: 2.331), 1人次

 

97.4

校外

亞東技術學院 亞東學報論文審查

 

97.2~97.12

校外

智慧財產局: 兼任審查委員

 

97.1~97.12

校外

Connect Taiwan 聯誼會蘭陽分會秘書組組長

 

97.5

校外

代表宜蘭大學前往三重高中介紹宜蘭大學電資學院

 

97.7

校外

國立成功大學 士論文口試委員1人次

 

97.7

校外

國立台灣海洋大學 士論文口試委員1人次

 

97.6

校外

國立成功大學 碩士論文口試委員2人次

 

97.6

校外

國立高雄師範大學 碩士論文口試委員1人次

 

97.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員X人次

 

97.6

校內

國立宜蘭大學 碩士論文口試委員1人次

 

97.9

校內

Local Chair for Mobility Conference 2008

 

97.10

校外

擔任『奈米科技人才培訓班』授課講師,主辦單位:教育部北區奈米科技前瞻人才培育中心暨台灣大學奈米機電系統研究中心

 

97.12

校外

國立東華大學 碩士論文口試委員2人次

 

97.12

校外

國立台灣海洋大學工程論文評審委員

 

98.1~12

校外

期刊論文審查: APPLIED PHYSICS LETTERS (Impact Factor: 3.726), 1人次

 

98.4

校內

國立宜蘭大學研究所招生考試命題暨閱卷委員

 

98.7

校外

國立台灣海洋大學 士論文口試委員2人次

 

98.6

校外

國立成功大學 碩士論文口試委員2人次

 

98.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員4人次

 

98.6

校外

長庚大學 碩士論文口試委員2人次

 

98.6

校外

朝陽科技大學 碩士論文口試委員2人次

 

98.6

校內

國立宜蘭大學 碩士論文口試委員1人次

 

98.7

校外

佛光大學 碩士論文口試委員2人次

 

98.7

校內

國立宜蘭大學轉學招生考試命題暨閱卷委員

 

98.7

校外

公務人員高等考試三級考試暨普通考試閱卷委員

 

98.7

校內

Local Chair for 2009海峽兩岸資訊科學與資訊技術學術交流會議 2009 Mobile Computing Workshop

 

99.10

校外

佛光大學 碩士論文口試委員2人次

 

99.6

校外

國立成功大學 博士論文口試委員2人次

 

99.6

校外

青雲科技大學 士論文口試委員2人次

 

99.6

校外

國立台灣海洋大學 碩士論文口試委員4人次

 

99.6

校外

長庚大學 碩士論文口試委員2人次

 

99.7

校外

國立台灣海洋大學 士論文口試委員1人次

 

 

 

描述: img_01

 

教學與研究獎勵

 

九、三年內之教學與研究獎勵事蹟:

 

學年度

 校內/校外

項目

 

94

校外

 (共同)指導研究生陳春元同學(國立成功大學微電子所博士生)榮獲[第十九屆宏眭壅捃g濟龍騰論文獎 博士論文優等獎]

 

 

95

 

校外

 

榮獲2006 IEDM 傑出論文獎。得獎人包括:鄭岫盈(指導老師)、朱桂逸(碩二生)、陳利洋(碩二生)、陳履安(碩一生)

 

 

98

 

校內

 

績優研究獎

 

99

校內

延攬及留住特殊優秀人才獎勵